深圳市世微半导体有限公司

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AP2N10,NMOS,SOT23

2023-12-01 09:48:01  433次浏览 次浏览
价 格:面议

Green Device Available

Super Low Gate ChargeExcellent Cdv/dt effect decline

Advanced high cell density Trenchtechnology

TheAP2N10 is the high cell density trenchedN-ch MOSFETs, which provides excellent RDSONand efficiency for most of the small powerswitching and load switch applications.Themeet the RoHS and Green Productrequirement with full function reliability approved.

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