资源分布与产量：锗在地壳中含量极其稀少，且多伴生于铅锌矿、煤矿等矿石中。中国是世界上的精制锗生产国，在全世界每年生产的 150 公吨金属中约占 70%，其他主要生产国包括俄罗斯和加拿大。
原料预处理
原料选择：选用纯度约 5N（99.999%）的粗锗锭或还原锗粉，通常来自 GeCl₄水解、GeO₂氢还原等工艺产出的初级金属锗。
表面净化：用混合酸（如 HF+HNO₃）腐蚀去除表面氧化层与油污，再经去离子水清洗、真空烘干，防止杂质带入后续工序。
破碎与成型：将净化后的锗料破碎成均匀颗粒，压制成与石英舟适配的条状或块状，减少区熔时的缩孔与偏析。
移动速度过慢的影响
杂质偏析充分，但生产效率低：慢速移动时，熔区与固相锗的接触时间长，杂质在固 - 液两相的分配能充分达到平衡，偏析效果好，能有效将杂质 “推” 向尾料端，利于提升锗锭主体纯度。但过慢的速度会大幅延长单炉生产周期，增加能耗和设备占用成本，降低产能。
易产生成分不均与晶体缺陷：长时间高温会导致锗原子扩散过度，可能出现局部成分偏聚；同时，缓慢冷却易形成粗大晶粒，晶粒间的晶界增多，还可能因热应力累积产生微裂纹。
锗挥发损失增加：熔区处于高温的时间越长，锗的挥发量越大，不仅降低成品收率，挥发的锗蒸汽还可能污染炉体或重新凝结在锗锭表面，引入二次杂质。
锗锭的关键质量指标
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。
电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻率越稳定。
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。
