移动速度过快的影响
杂质偏析不彻底，纯度不达标：快速移动时，熔区向前推进速度超过杂质在液相中的扩散速度，杂质无法及时随熔区向尾料迁移，会被 “截留” 在结晶的固相锗中，导致锗锭主体纯度下降，无法达到 6N 及以上的目标纯度要求。
晶体生长不稳定，易形成柱状晶或枝晶：过快的移动速度会使固 - 液界面变得陡峭，晶体生长方向紊乱，容易形成柱状晶或枝晶结构，破坏晶体的完整性，后续加工时锗锭易脆断。
熔区形态不稳定：速度过快可能导致熔区拉长、变形，甚至出现 “断熔” 现象，造成局部未熔或过熔，影响整根锗锭的提纯均匀性。
锗锭的关键质量指标
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。
电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻率越稳定。
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。
云南省锦鑫贵金属回收冶炼有限公司
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