资源分布与产量：锗在地壳中含量极其稀少，且多伴生于铅锌矿、煤矿等矿石中。中国是世界上的精制锗生产国，在全世界每年生产的 150 公吨金属中约占 70%，其他主要生产国包括俄罗斯和加拿大。
后处理
冷却与脱模：区熔结束后，以 2~5℃/min 速率分段降温，500℃以下慢速冷却，防止内应力开裂，冷却后取出锗锭。
切头切尾：切除含高浓度杂质的尾料与籽晶部分，保留中间高纯段。
检测分级：通过电阻率测试、ICP-MS 分析杂质含量，按纯度分级（如 6N、7N、8N），合格产品包装入库，不合格品返回原料重熔。
退火处理（可选）：对高纯锗锭进行 400~500℃真空退火，消除内应力，提升晶体完整性，满足半导体单晶制备需求。
移动速度过快的影响
杂质偏析不彻底，纯度不达标：快速移动时，熔区向前推进速度超过杂质在液相中的扩散速度，杂质无法及时随熔区向尾料迁移，会被 “截留” 在结晶的固相锗中，导致锗锭主体纯度下降，无法达到 6N 及以上的目标纯度要求。
晶体生长不稳定，易形成柱状晶或枝晶：过快的移动速度会使固 - 液界面变得陡峭，晶体生长方向紊乱，容易形成柱状晶或枝晶结构，破坏晶体的完整性，后续加工时锗锭易脆断。
熔区形态不稳定：速度过快可能导致熔区拉长、变形，甚至出现 “断熔” 现象，造成局部未熔或过熔，影响整根锗锭的提纯均匀性。
适宜的移动速度范围
区熔锗锭的熔区移动速度通常控制在 15~120mm/h，具体需根据锗料初始纯度、目标纯度、熔区宽度调整：
初始纯度低（如 5N 粗锗）或目标纯度高（如 7N、8N）时，选择偏慢的速度（15~40mm/h），保证杂质充分偏析；
初始纯度较高或追求生产效率时，可适当提高速度（60~120mm/h）。
