市场价格：锗锭的市场价格长期维持在较高水平，不同纯度等级的锗锭价格差异显著，高纯锗锭的回收价格处于每公斤上万元区间。
原料预处理
原料选择：选用纯度约 5N（99.999%）的粗锗锭或还原锗粉，通常来自 GeCl₄水解、GeO₂氢还原等工艺产出的初级金属锗。
表面净化：用混合酸（如 HF+HNO₃）腐蚀去除表面氧化层与油污，再经去离子水清洗、真空烘干，防止杂质带入后续工序。
破碎与成型：将净化后的锗料破碎成均匀颗粒，压制成与石英舟适配的条状或块状，减少区熔时的缩孔与偏析。
区熔提纯（核心步骤）
熔区建立：采用高频感应加热或红外聚焦加热，在锗料中部形成宽度 1~3cm 的窄熔区，温度控制在锗熔点（937℃）以上 50~100℃，确保局部熔化、整体固态。
熔区移动与多道次提纯
以 15~120mm/h 的速率移动熔区，杂质随熔区向尾料端偏析，纯锗在熔区前方结晶。
单次区熔提纯有限，需重复 8~20 道次，根据目标纯度调整次数，每道次后熔区反向移动可提升均匀性。
参数控制：控制加热功率、熔区移动速率与温度梯度，避免局部过热导致锗挥发或石英舟变形，同时减少热应力与晶体缺陷。
锗锭的关键质量指标
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。
电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻率越稳定。
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。
