纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。
红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm 波段透过率≥40%），用于红外热像仪、导弹制导系统、卫星遥感设备。
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。
全球资源分布集中：锗在地壳中含量仅 0.0007%，难以独立成矿，主要伴生于铅锌矿、煤矿等，全球已探明储量仅 8600 吨，中国（41%）、美国（45%）为主要储量国。资源的稀散属性导致原料供给天然受限，直接推高上游开采与初级提纯成本。
