物理性质：具有银灰色金属光泽，条状，梯形截面，性脆，易断裂，硬度 5.0 左右，微导电，属于典型的半导体。其密度为 5.35g/mL，熔点为 937℃，沸点为 2830℃，不溶于盐酸、硝酸和常碱，但溶于 HF、王水和热的 NaOH 溶液中。
区熔提纯（核心步骤）
熔区建立：采用高频感应加热或红外聚焦加热，在锗料中部形成宽度 1~3cm 的窄熔区，温度控制在锗熔点（937℃）以上 50~100℃，确保局部熔化、整体固态。
熔区移动与多道次提纯
以 15~120mm/h 的速率移动熔区，杂质随熔区向尾料端偏析，纯锗在熔区前方结晶。
单次区熔提纯有限，需重复 8~20 道次，根据目标纯度调整次数，每道次后熔区反向移动可提升均匀性。
参数控制：控制加热功率、熔区移动速率与温度梯度，避免局部过热导致锗挥发或石英舟变形，同时减少热应力与晶体缺陷。
移动速度过慢的影响
杂质偏析充分，但生产效率低：慢速移动时，熔区与固相锗的接触时间长，杂质在固 - 液两相的分配能充分达到平衡，偏析效果好，能有效将杂质 “推” 向尾料端，利于提升锗锭主体纯度。但过慢的速度会大幅延长单炉生产周期，增加能耗和设备占用成本，降低产能。
易产生成分不均与晶体缺陷：长时间高温会导致锗原子扩散过度，可能出现局部成分偏聚；同时，缓慢冷却易形成粗大晶粒，晶粒间的晶界增多，还可能因热应力累积产生微裂纹。
锗挥发损失增加：熔区处于高温的时间越长，锗的挥发量越大，不仅降低成品收率，挥发的锗蒸汽还可能污染炉体或重新凝结在锗锭表面，引入二次杂质。
首饰厂：抛光打磨粉，地毯，洗手池等废料；
印刷厂：印刷废菲林、X光片、定影水；
化工石油厂：钯，铂，铑，钌催化剂等。
小金属：粗铟，精铟，铟靶材，粗稼，金属镓99.99以及废料。高价回收镍片，铣刀， 数控刀片， 轻质数控刀，废合金针，针尖，铟.铟丝.氧化铟.
