生产方法：真空熔炼法和电化学还原法是当前工业领域生产锗锭应用最广泛的两种核心方法。真空熔炼法是在密闭的高温炉体内，利用真空环境促进低沸点杂质挥发，实现锗的提纯；电化学还原法则是以含锗溶液为原料，通过通入电流使锗离子在阴极析出金属锗。
区熔提纯（核心步骤）
熔区建立：采用高频感应加热或红外聚焦加热，在锗料中部形成宽度 1~3cm 的窄熔区，温度控制在锗熔点（937℃）以上 50~100℃，确保局部熔化、整体固态。
熔区移动与多道次提纯
以 15~120mm/h 的速率移动熔区，杂质随熔区向尾料端偏析，纯锗在熔区前方结晶。
单次区熔提纯有限，需重复 8~20 道次，根据目标纯度调整次数，每道次后熔区反向移动可提升均匀性。
参数控制：控制加热功率、熔区移动速率与温度梯度，避免局部过热导致锗挥发或石英舟变形，同时减少热应力与晶体缺陷。
后处理
冷却与脱模：区熔结束后，以 2~5℃/min 速率分段降温，500℃以下慢速冷却，防止内应力开裂，冷却后取出锗锭。
切头切尾：切除含高浓度杂质的尾料与籽晶部分，保留中间高纯段。
检测分级：通过电阻率测试、ICP-MS 分析杂质含量，按纯度分级（如 6N、7N、8N），合格产品包装入库，不合格品返回原料重熔。
退火处理（可选）：对高纯锗锭进行 400~500℃真空退火，消除内应力，提升晶体完整性，满足半导体单晶制备需求。
半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。
红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm 波段透过率≥40%），用于红外热像仪、导弹制导系统、卫星遥感设备。
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。
其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。
